该项目是区城投集团投资建设的自主经营性重点项目，总用地面积92319平方米，是临安再生资源循环利用体系与“无废城市”建设的核心载体。建设内容包括再生资源1至4号车间、再生资源产品研发中心等，整体解决方案及产线设备由南方路机提供，其中包含：

年处理量200万吨

建筑拆除垃圾处置生产线1条

年处理量80万吨

工程渣土资源化处置生产线1条

年处理量35万吨

渣土底泥处置、固化土生产线1条

年处理量65万吨

再生水稳生产线1条

商品混凝土生产线2条

年产100万m³

建成后，项目将打造集回收分拣、高值化加工、固废资源化利用于一体的循环经济产业集群，预计年产值可达10亿元。

▲项目效果图

“项目预计今年10月份完成主体结构结顶，同步穿插砌筑、二次结构、道路、管线及绿化景观施工，年底全面完工。”区城投集团项目负责人江镇表示，项目建设具有重要现实意义和长远价值，建成后将有效完善区域再生资源循环利用体系，推动固废处置向减量化、无害化、资源化升级，实现经济效益、社会效益与生态效益的有机统一。

作为《生化危机》系列的最新主线作品，《安魂曲》自发售以来全球销量已突破500万份。Capcom官方此前已确认，正在开发故事类付费DLC，将“更深入探索Requiem(安魂曲)的世界”。这一消息本就吊足了玩家胃口，而如今关于DLC内容的传闻，更是让期待值直线飙升。

3月17日，系列知名泄密者Dusk Golem在社交平台发文，透露了一个重磅信息：艾达·王“极有可能”以某种形式出现在即将推出的DLC剧情中。

Dusk Golem特别说明，这一消息并非来自他自己的核心情报渠道，而是源于某处发生的“无意泄露”。他坦言自己“坐了几天才公开此事”，同时提醒大家保持谨慎，不要过度解读，并强调“不想因此害到任何人”。尽管如此，他仍认为艾达·王参与DLC的可能性非常高。

这一消息迅速在社交平台发酵，有粉丝甚至将DLC与里昂·S·肯尼迪的故事线联系起来——考虑到《安魂曲》本篇结局中里昂手指上的婚戒，早已引发玩家关于“里昂神秘妻子究竟是谁”的激烈争论。

《安魂曲》导演已在近期活动中正式确认故事DLC正在开发，但强调“还需要一些时间”，暂未透露任何角色或剧情细节。官方还计划在5月推出照片模式更新与小型游戏内容，作为DLC前的过渡。

如果艾达真的回归，这或许意味着对里昂与艾达这对经典“搭档”关系的延续，甚至可能是某种形式的“收尾”。

海湾国家未求战，但忧美半途撤场，敦促彻底削弱伊朗

德黑兰导弹无人机袭击六海湾国，扰乱霍尔木兹航运

既要应对迫在眉睫威胁，又怕卷入美以主导战争

若伊朗越过红线袭击石油设施或海水淡化厂，沙特或被迫报复

伊朗封锁霍尔木兹能力若不除，危险长期存在

美海湾博弈加剧，彻底削弱伊朗成海湾国家核心诉求

编辑总结

在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面，打破Si-H键，增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。

这种通道热载流子诱导的退化（也称为HCI或热载流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并会影响所有区域的器件参数，如VT、亚阈值斜率、Id-on、Id-off、Ig等。每个参数随应力时间的退化速率取决于器件的布局和所使用的工艺。

图1. 通道热载流子退化

CHC退化测试的过程

一个典型的通道热载流子测试过程包括一个被测试器件（DUT）的初始化表征，然后是一个应力和测量循环[1]（图2）。在这个循环中，器件承受的电压高于正常工作电压的压力。器件参数包括IDLIN、IDSAT、VT、Gm等，在应力之间进行监测，并将这些参数的退化绘制为累积应力时间的函数。在进行此应力和测量循环之前，将测量同一组器件参数作为基线值。

图2. 典型的CHC测试过程

应力条件是基于最坏情况下的退化条件，这对于NMOS和PMOSFET是不同的。通常，对于漏极电压应力，它应小于源极漏极击穿电压的90%。然后，在漏极应力电压下，栅极应力电压因晶体管类型和栅极长度而不同。表1显示了使用不同技术[2]创建的NMOS和PMOSFET的最坏情况退化条件。

表1. NMOS和PMOS FETs的最坏情况应力条件

使用4200A-SCS半导体表征系统上的ITM可以很容易地确定最坏情况下的应力条件。

器件连接

在单个晶体管上执行CHC测试很容易。然而，每个CHC测试通常需要很长时间才能完成，所以希望有许多dut并行施加压力，然后在应力之间按顺序进行表征，以节省时间。为了实现这一点，需要一个开关矩阵来处理并行应力和应力之间的顺序测量。图3显示了针对多个DUT的典CHC测试的硬件配置。4200A-SCS提供了应力电压和测量能力，而开关矩阵支持并行应力和多个器件的顺序测量。

根据被测试器件的数量，使用可容纳一个矩阵开关（12个器件引脚）的708主机，或者使用最多6个矩阵开关（最多72个引脚）的707主机。不同栅极和漏极应力值的总数受到系统中SMU数量的限制。图4说明了使用8个SMU（总共8个不同的漏极和栅极应力偏差）加上一个接地单元（接地端子）并联20个晶体管对器件进行压力测试的连接图。

图3. 硬件配置连线图

图4. 使用8个SMU并行施加压力20个器件的示例。公共端子使用单独的接地单元（GNDU）。

确定器件参数

被监测的热载流子参数包括VTH、GM、IDLIN和 IDSAT。这些参数在应力之前首先测量，并在每个累积应力时间后重新测量。IDLIN是器件在线性区域测量漏极电流，而IDSAT是器件在饱和区域测量漏极电流。VTH和GM可以用恒流法或内插 / 外插法来确定。在内插 / 外插法中，VTH是由IDS- VDS曲线的最大斜率来确定。

4200A-SCS的公式编辑器工具大大简化了这些参数的提取。内置函数包括微分获得GM，MAX函数获得最大的GM（Gmext），以及最小二乘线拟合函数提取 VTH（Vtext）。计算这些参数的公式可以在4200A-SCS提供的HCI项目中找到，并在测试库中的相应的测试中找到。这些公式的一些例子包括：

GM = DIFF(DRAINI,GATEV)

GMEXT = MAX(GM)

VTEXT = TANFITXINT(GATEV,DRAINI,MAXPOS(GM))

最后一个公式（VTEXT）是ID-VG曲线在最大GM点处的切线拟合的x截距。图5说明了公式编辑器的界面。

图5. 4200A-SCS的公式编辑器界面

一旦这些参数从各个测试中计算出来，它们就可以通过选中“输出值”选项中的复选框来导出，以监测应力时间的退化。对于每个测试，都可以选择退出选项，允许系统跳过该器件，或者在器件出现故障时停止整个CHC测试。有关这些选项的更多详细信息，请参阅完整的4200A-SCS参考手册。

设置应力条件

在4200A-SCS软件的吉时利Clarius版本中增强的功能之一是项目树结构中可以增加一个应力循环，可以施加电压和电流应力。用户可以利用应力循环在预设时间上设置直流应力。每个周期的应力时间可以以线性或对数的方式进行设置（见图6）。该特性用于 CHC/HCI、NBTI、EM（电迁移率）和电荷捕获应用，以提供恒定的直流应力（电压或电流）。在应力 / 测量模式下，用户可以为被测器件的每个终端设置应力条件（图7）。在每个应力周期之后，4200A-SCS经过一个测量序列，其中可以包括任意数量和类型的用户定义的测试和参数提取。这些参数随时间的退化情况被绘制在应力图中。4200A-SCS的“工具包”体系结构为用户在创建测试序列和压力测量方面提供了巨大的灵活性。

对于关键参数，可以设置一个目标退化值（图7）。一旦该参数的退化超过了目标值，特定的测试将停止。通过消除不必要的压力和测量故障器件上的周期，将会节省了大量的时间。

图6. 应力循环设置页面

图7. 器件应力 / 引脚连接 / 退化目标值设置窗口

如果项目中定义了多个DUT，则可以使器件压力设置窗口中的“上一个器件”和“下一个器件”按钮在器件之间进行切换（图7）。“复制”和“粘贴”按钮可以用于将压力设置从一个器件复制到另一个器件中，而不需要在所有输入字段中重新输入所有信息。由于多个器件在不同的应力配置中并行施加应力，因此很难将所需的不同应力的数量和可用于应用它们的SMU的数量联系起来。按下“检查资源”按钮，可以很容易地确定是否有足够的SMU来处理所有涉及的压力，并查看这些SMU是如何分配给每个不同的压力的。如果开关矩阵连接到系统上，并且如果终端上的应力为0V，则默认使用接地单元。

图8a显示了一个单独的数据表（图8a），它可以合并到相应的应力设置窗口中，以保存有关周期指数、应力时间和从应力之间的测量中提取的监测参数的信息，如ID和VT。数据将以Excel文件格式（.xls）自动保存在项目目录中，将数据以文本或Excel文件的形式导出到其他位置。如果系统处于应力 / 测量模式，监测参数相对于预应力测量的退化会自动计算，并可以绘制在图8b中。有关更多压力测量的信息，在Clarius中提供的功能，请查阅完整的4200A-SCS参考手册。

a)

b)

图8. a) 应力数据表存储所有应力信息，包括应力期间的测量结果和应力之间测量的选定参数。b) 退化百分比数据作为应力时间函数的图

建立CHC项目

下面的步骤概述了构建CHC项目的典型过程。有关每个步骤的详细信息，请参考完整的4200A-SCS参考手册。

1. 创建项目结构

a. 确定开关矩阵是否可用

b. 确定是否有足够的SMU可用

c. 构建项目结构

2. 在应力之间建立测试

a. 如果使用了开关矩阵，进行开关连接。

b. 使用（ITMs）构建新的测试

c. 使用公式器工具计算器件参数

d. 在合理条件下设置退出

e. 对于监测退化，导出监测的参数值

f. 重复步骤b到步骤e，以监控更多的参数

3. 如果有多个DUT，则重复步骤2。

4. 在子项目中，设置应力条件。

a. 设置压力时间

b. 设置器件应力条件

i. 应力电压

ii. 引脚连接

iii. 目标退化值

iv. 进入下一个器件

5. 运行项目并检查退化数据

参数退化数据和原始测量数据在项目运行期间自动以Excel文件格式保存。因此，即使项目在完成前就停止了，也已经捕获了测量数据。应力之间的原始I-V曲线可以叠加在应力循环上，所以很容易看到I-V是如何作为应力时间的函数而退化的。图9显示了覆盖21个应力循环后的Vgs-Id曲线。

图9. 多个应力的叠加数据图

图10是一个在晶圆片上测试五个位置的CHC项目的例子。4200A-SCS通过与市场上最常见的半自动探针台兼容的内置驱动程序控制探针台的移动。

图10. 晶圆级CHC测试的范例

结论

Clarius中增强的应力测量循环可以轻松设置CHC测试。结合交互式测试界面、公式工具和强大的图形功能，Clarius使4200A-SCS成为评估器件可靠性参数的理想工具，如CHC诱导的MOSFETs退化，以及它在器件表征中更广为人知的作用。

参考

[1] JEDEC标准28-A，“Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DCStress”，2001。

[2] Vijay Reddy，“An introduction to CMOS semiconductor Reliability”，IRPS教程，2004年。

双方球员在决赛中拼抢

本报讯 （融媒体记者 吴聪伟 吴宗宝 通讯员 林小婷 文/图）3月14日晚，晋江足球训练中心灯火通明，在数千名球迷的见证下，2026年泉州市首届“迎春杯”足球联赛决赛展开巅峰对决。经过鏖战，南安队以3∶0战胜丰泽队夺冠。丰泽队、安溪队分别获得亚军、季军。

作为目前泉州市级男子足球的最高水平赛事，本次联赛汇聚各县（市、区）12支队伍、近400名足球运动员同台竞技。比赛采用“小组赛+排位赛”的赛制，共设置7轮38场比赛，确保了赛事的专业性与观赏性。经过一个多月的鏖战，南安队与丰泽队从群雄中脱颖而出，晋级决赛。

作为全胜的劲旅，南安队展现出压倒性优势，以5战全胜、进22球仅失1球的战绩位居B组第一，在半决赛中以3∶0战胜东道主晋江队，展现出强劲的夺冠实力。与南安队不同，丰泽队的晋级之路相对波折，但一路上展现出奋勇拼搏的精神。半决赛中，丰泽队以破釜沉舟的勇气背水一战，最终战胜劲旅安溪队，拼下了一张宝贵的决赛入场券。

14日晚7时，决赛拉开序幕。比赛伊始，双方球员迅速进入兴奋状态。南安队凭借默契的配合持续向丰泽队的防线施压，控球比例、角球数、前场定位球多于丰泽队。虽门前一度风声鹤唳，但丰泽队凭借稳固的防守让对手的进攻无功而返，还制造多次反击。上半场，双方互交白卷。

下半场，异边再战。比赛第48分钟，丰泽队在禁区内拉人犯规，南安队获得点球，8号球员王瀚升操刀命中。第56分钟，南安队26号球员张达峰抓住对方后卫解围失误，在禁区前冷静射门，打进南安队第2个进球。第91分钟，南安队再次获得点球，8号球员王瀚升梅开二度，打进个人在本届赛事的第7个进球，获得最佳射手。

最终，南安队以3∶0战胜丰泽队，以7战全胜的战绩捧起冠军杯。

在当天下午举行的另一场比赛中，晋江队与安溪队展开季军赛的争夺。安溪队在先丢1球的情况下连进3球，最终以3∶1逆转战胜晋江队，夺得季军。